Samsung Electronics
Samsung Electronics
Технические характеристики Samsung Electronics MZ-V9P1T0CW
вердотельный накопитель Samsung SSD 990 PROMZ-V9P1T0CW, 1000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 200 000/1 550 000, DRAM buffer 1024MB, TBW 600, DWPD 0.33, with Heatsink, ГАРАНТИЯ 1 ГОД
MZ-V9P1T0CW
|
сравнить| TBW твердотельного накопителя | 600 |
| Ёмкость накопителя | 1000 |
| Интерфейс | PCIe 4.0 x4 (NVMe) |
| Кэш-память | 1GB LPDDR4 |
| Модель | Samsung 990 PRO |
| Назначение | Клиентские ПК |
| Объём DRAM буфера | 1024 |
| Скорость последовательного чтения | 7450 |
| Скорость последовательной записи | 6900 |
| Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32) | 1200000 |
| Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32) | 1550000 |
| Средняя наработка на отказ | 1500000 |
| Тип памяти | TLC |
| Форм-фактор | M.2 2280 |
Производитель
- Производитель
- Samsung Electronics
- Гарантия
- 12 мес
Процессор
- Кэш, МБ
- 1GB LPDDR4
Память
- Тип памяти
- TLC
Прочие характеристики
- Артикул
- MZ-V9P1T0CW
Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного уведомления продавца.
Вес может различаться в зависимости от фактической конфигурации.
