Samsung Electronics
Samsung Electronics
Технические характеристики Samsung Electronics MZ-V9S1T0BW
Твердотельные накопители Samsung SSD 990 EVO Plus MZ-V9S1T0BW, 1000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7150/6300MB/s, IOPs 850 000/1 350 000, TBW 600, DWPD 0.3, ГАРАНТИЯ 1 ГОД
MZ-V9S1T0BW
|
сравнить| DRAM буфер | 1 |
| TBW твердотельного накопителя | 600 |
| Ёмкость накопителя | 1000 |
| Интерфейс | PCIe 4.0 x4 (NVMe) |
| Назначение | Клиентские ПК |
| Скорость последовательного чтения | 7150 |
| Скорость последовательной записи | 6300 |
| Средняя наработка на отказ | 1500000 |
| Тип памяти | V-NAND |
| Форм-фактор | M.2 2280 |
Производитель
- Производитель
- Samsung Electronics
- Гарантия
- 12 мес
Память
- Тип памяти
- V-NAND
Прочие характеристики
- Артикул
- MZ-V9S1T0BW
Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного уведомления продавца.
Вес может различаться в зависимости от фактической конфигурации.
