сравнитьЭкспертность в технике
Подбираем решения для дома, работы и бизнеса на основе реального опыта.
20+
лет на рынке
Samsung Electronics
Samsung Electronics
Технические характеристики Samsung Electronics MZ-V9S2T0BW
Твердотельные накопители/ Samsung SSD 990 EVO Plus MZ-V9S2T0BW, 2000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7250/6300MB/s, IOPs 1 000 000/1 350 000, TBW 1200, DWPD 0.3, ГАРАНТИЯ 1 ГОД
MZ-V9S2T0BW
|
| DRAM буфер | 1 |
| TBW твердотельного накопителя | 1200 |
| Ёмкость накопителя | 2000 |
| Интерфейс | PCIe 4.0 x4 (NVMe) |
| Назначение | Клиентские ПК |
| Скорость последовательного чтения | 7250 |
| Скорость последовательной записи | 6300 |
| Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32) | 1000000 |
| Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32) | 1350000 |
| Средняя наработка на отказ | 1500000 |
| Тип памяти | V-NAND |
| Форм-фактор | M.2 2280 |
Производитель
- Производитель
- Samsung Electronics
- Гарантия
- 12 мес
Память
- Тип памяти
- V-NAND
Прочие характеристики
- Артикул
- MZ-V9S2T0BW
Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного уведомления продавца.
Вес может различаться в зависимости от фактической конфигурации.
