|
сравнить| DRAM буфер | 1 |
| TBW твердотельного накопителя | 2400 |
| Ёмкость накопителя | 4000 |
| Интерфейс | PCIe 5.0 x4 |
| Модель | Samsung 9100 PRO |
| Назначение | Клиентские ПК |
| Особенности | расширенный температурный диапазон |
| Скорость последовательного чтения | 14800 |
| Скорость последовательной записи | 13400 |
| Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32) | 2200000 |
| Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32) | 2600000 |
| Средняя наработка на отказ | 1500000 |
| Тип памяти | V-NAND |
| Форм-фактор | M.2 2280 |
Твердотельный накопитель Samsung SSD 9100 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 5.0 x4, V-NAND TLC, R/W 14800/13400MB/s, IOPs 2 200 000/2 600 000, TBW 2400, DWPD 0.3, with Heatsink (12 мес.) (MZ-VAP4T0CW)
Твердотельный накопитель Samsung SSD 9100 PRO — замена жёсткому диску или второй накопитель: система загружается быстрее, программы открываются без задержек. Ключевые параметры: объём 4000 ГБ, тип памяти V-NAND, накопитель 4 ТБ.
Характеристики:
- Ёмкость накопителя: 4000 ГБ;
- Тип памяти: V-NAND;
- Объем накопителя: 4 ТБ;
- Скорость последовательного чтения: 14800 МБ/с;
- Скорость последовательной записи: 13400 МБ/с;
- Интерфейс: PCIe 5.0 x4;
- TBW твердотельного накопителя: 2400 ТБ;
- Модель: Samsung 9100 PRO;
- Назначение: Клиентские ПК;
- Особенности: расширенный температурный диапазон;
- Форм-фактор: M.2 2280.
Перед покупкой проверьте свободный разъём нужного формата в компьютере или ноутбуке.
Производитель
- Производитель
- Samsung Electronics
- Гарантия
- 12 мес
Память
- Тип памяти
- V-NAND
Устройства хранения данных
- Объем накопителя
- 4 ТБ
Прочие характеристики
- Форм-фактор
- M.2 2280
- Артикул
- MZ-VAP4T0CW
- Интерфейс подключения
- PCIe 5.0 x4
- Интерфейс
- PCIe 5.0 x4
Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного уведомления продавца.
Вес может различаться в зависимости от фактической конфигурации.
