сравнить01
Экспертность в технике
Подбираем решения для дома, работы и бизнеса на основе реального опыта.
20+
лет на рынке
|
| DRAM буфер | 1 |
| TBW твердотельного накопителя | 4800 |
| Ёмкость накопителя | 8000 |
| Интерфейс | PCIe 5.0 x4 |
| Модель | Samsung 9100 PRO |
| Назначение | Клиентские ПК |
| Особенности | расширенный температурный диапазон |
| Скорость последовательного чтения | 14800 |
| Скорость последовательной записи | 13400 |
| Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32) | 2200000 |
| Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32) | 2600000 |
| Средняя наработка на отказ | 1500000 |
| Тип памяти | V-NAND |
| Форм-фактор | M.2 2280 |
Производитель
- Производитель
- Samsung Electronics
- Гарантия
- 12 мес
Память
- Тип памяти
- V-NAND
Устройства хранения данных
- Объем накопителя
- 8000
Прочие характеристики
- Форм-фактор
- M.2 2280
- Артикул
- MZ-VAP8T0CW
- Интерфейс подключения
- PCIe 5.0 x4
- Интерфейс
- PCIe 5.0 x4
Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного уведомления продавца.
Вес может различаться в зависимости от фактической конфигурации.
