Перейти к содержимому

Твердотельный накопитель Samsung SSD 9100 PRO, 1 ТБ, V-NAND, чтение 14700 МБ/с, 600 ТБ, MZ-VAP1T0BW

Артикул Код товара 15028 Бренд Samsung Electronics
  • Объём1 ТБ
  • Форм-факторM.2 2280
  • ИнтерфейсPCIe 5.0 x4
  • Тип памятиV-NAND
  • Гарантия12 месяцев

Соберите компьютер с этой деталью

Конфигуратор отметит совместимые с ней комплектующие и проверит сборку целиком.

  1. Процессор
  2. Материнская плата
  3. Оперативная память
  4. Видеокарта
  5. Накопитель SSD
  6. Охлаждение процессора
  7. Корпус
  8. Блок питания
Добавить в сборку

Описание

Твердотельный накопитель Samsung SSD 9100 PRO, 1000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 5.0 x4, V-NAND TLC, R/W 14700/13300MB/s, IOPs 1 850 000/2 600 000, TBW 600, DWPD 0.3 (12 мес.) (MZ-VAP1T0BW)

Твердотельный накопитель Samsung SSD 9100 PRO — замена жёсткому диску или второй накопитель: система загружается быстрее, программы открываются без задержек. Ключевые параметры: 1 ТБ, V-NAND, чтение 14700 МБ/с, 600 ТБ, запись 13300 МБ/с.

Характеристики:

  • Объем накопителя: 1 ТБ;
  • Тип памяти: V-NAND;
  • Скорость последовательного чтения: 14700 МБ/с;
  • Скорость последовательной записи: 13300 МБ/с;
  • Интерфейс: PCIe 5.0 x4;
  • TBW твердотельного накопителя: 600 ТБ;
  • Модель: Samsung 9100 PRO;
  • Назначение: Клиентские ПК;
  • Особенности: расширенный температурный диапазон;
  • Форм-фактор: M.2 2280.

Перед покупкой проверьте свободный разъём нужного формата в компьютере или ноутбуке.

Характеристики Samsung Electronics MZ-VAP1T0BW

Производитель

Страна производства
Южная Корея
Гарантия
12 месяцев

Память

Тип памяти
V-NAND

Устройства хранения данных

Объем накопителя
1 ТБ

Подключение

Интерфейс
PCIe 5.0 x4
Интерфейс
PCIe 5.0 x4

Дополнительно

Особенности
расширенный температурный диапазон

Основное

Назначение
Клиентские ПК
Модель
Samsung 9100 PRO

Скоростные характеристики

Скорость последовательного чтения, Мбайт/c
14700
Скорость последовательной записи, Мбайт/c
13300
Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32), IOPS
1850000
Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32), IOPS
2600000

Ресурс

Средняя наработка на отказ, ч
1500000
TBW твердотельного накопителя, Тбайт
600

Характеристики памяти накопителя

DRAM буфер
да

Прочие характеристики

Форм-фактор
M.2 2280

Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного уведомления продавца. Вес может различаться в зависимости от фактической конфигурации.

Нашли ошибку? Выделите текст и нажмите Ctrl+Enter или

Из блога

Статьи и обзоры по этой теме

Все обзоры и статьи


Выберите модификацию товара.
Изображение

Сейчас на складе нет свободного количества товара:

VFY:U5540M15A6RU

(возможно, он был выписан или зарезервирован).

Мы сообщим вам о поступлении на склад либо о наличии свободного количества на складе.

Мы используем файлы cookie для вашего удобства. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с политикой использования cookie. Подробнее

Согласен