Перейти к содержимому

Твердотельный накопитель Samsung SSD 9100 PRO, 8000 ГБ, V-NAND, чтение 14800 МБ/с, 4800 ТБ, MZ-VAP8T0BW

Артикул Код товара 18186 Бренд Samsung Electronics
  • Объём8000 ГБ
  • Форм-факторM.2 2280
  • ИнтерфейсPCIe 5.0 x4
  • Тип памятиV-NAND
  • Гарантия12 месяцев

Соберите компьютер с этой деталью

Конфигуратор отметит совместимые с ней комплектующие и проверит сборку целиком.

  1. Процессор
  2. Материнская плата
  3. Оперативная память
  4. Видеокарта
  5. Накопитель SSD
  6. Охлаждение процессора
  7. Корпус
  8. Блок питания
Добавить в сборку

Описание

Твердотельный накопитель Samsung SSD 9100 PRO, 8000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 5.0 x4, V-NAND TLC, R/W 14800/13400MB/s, IOPs 2 200 000/2 600 000, TBW 4800, DWPD 0.3 (12 мес.) (MZ-VAP8T0BW)

Твердотельный накопитель Samsung SSD 9100 PRO — замена жёсткому диску или второй накопитель: система загружается быстрее, программы открываются без задержек. Ключевые параметры: 8000 ГБ, V-NAND, чтение 14800 МБ/с, 4800 ТБ, запись 13400 МБ/с.

Характеристики:

  • Ёмкость накопителя: 8000 ГБ;
  • Тип памяти: V-NAND;
  • Скорость последовательного чтения: 14800 МБ/с;
  • Скорость последовательной записи: 13400 МБ/с;
  • Интерфейс: PCIe 5.0 x4;
  • TBW твердотельного накопителя: 4800 ТБ;
  • Модель: Samsung 9100 PRO;
  • Назначение: Клиентские ПК;
  • Особенности: расширенный температурный диапазон;
  • Форм-фактор: M.2 2280.

Перед покупкой проверьте свободный разъём нужного формата в компьютере или ноутбуке.

Характеристики Samsung Electronics MZ-VAP8T0BW

Производитель

Страна производства
Южная Корея
Гарантия
12 месяцев

Память

Тип памяти
V-NAND

Устройства хранения данных

Объем накопителя
8000

Подключение

Интерфейс
PCIe 5.0 x4
Интерфейс
PCIe 5.0 x4

Дополнительно

Особенности
расширенный температурный диапазон

Основное

Назначение
Клиентские ПК
Модель
Samsung 9100 PRO

Скоростные характеристики

Скорость последовательного чтения, Мбайт/c
14800
Скорость последовательной записи, Мбайт/c
13400
Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32), IOPS
2200000
Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32), IOPS
2600000

Ресурс

Средняя наработка на отказ, ч
1500000
TBW твердотельного накопителя, Тбайт
4800

Характеристики памяти накопителя

DRAM буфер
да

Прочие характеристики

Форм-фактор
M.2 2280

Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного уведомления продавца. Вес может различаться в зависимости от фактической конфигурации.

Нашли ошибку? Выделите текст и нажмите Ctrl+Enter или

Из блога

Статьи и обзоры по этой теме

Все обзоры и статьи


Выберите модификацию товара.
Изображение

Сейчас на складе нет свободного количества товара:

VFY:U5540M15A6RU

(возможно, он был выписан или зарезервирован).

Мы сообщим вам о поступлении на склад либо о наличии свободного количества на складе.

Мы используем файлы cookie для вашего удобства. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с политикой использования cookie. Подробнее

Согласен